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CVD系统

CVD系统

产品详情高真空CVD系统是一款专业在沉底材料上生长高质量石墨烯、碳纳米管、碳化硅的专用设备,广泛应用于在半导体、纳米材料、碳纤维、碳化硅、镀膜等新材料新工艺领域...

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高真空CVD系统是一款专业在沉底材料上生长高质量石墨烯、碳纳米管、碳化硅的专用设备,广泛应用于在半导体、纳米材料、碳纤维、碳化硅、镀膜等新材料新工艺领域。

高真空CVD系统主要由高温腔体、石英管、石英支架、气路系统、分子泵机组、自动化控制系统、冷却系统等组成。

1、沉底材料可采用铜箔、石墨等;

2、生长腔体采用进口高纯石英管,配石英支架、为石墨烯等材料的生长提供洁净环境;

3、炉膛采用进口高纯氧化铝多晶体纤维,不易掉粉、寿命长且保温性能好。加热丝采用优质掺钼铁铬铝合金加热丝,温场均匀,能耗低;

4、密封法兰均采用不锈钢材质,配水冷套,可连续长时间工作;

5、气路系统采用两路质量流量计(可拓展多路),配预混系统;

6、气体种类: He/Ar、C2H2、NH3、N2, H2、PH3、GeH4、B2H6;

7、温度、气体、真空、冷却水等通过PLC控制,通过PC实时控制和显示相关的实验参数,自动保存实验参数,也可采用手动控制;

8、系统采用集成化设计,控制系统、混气罐、质量流量计等均内置在箱体内部,占地面积小。整体安装四个可移动轮子,方便整体移动


     技术参数

HTF1200-2.5/20-2F-LV

HTF1200-5/20-4F-HV

HTF1200-6/40-2M-LV

HTF1200-8/40-4M-HV

最高温度(℃)

1200

1200

1200

1200

控温精度(℃)

±1

±1

±1

±1

加热区直径(mm)

25

50

60

80

加热区长度(mm)

200

200

400

400

加热管长度(mm)

450

450

1000

1000

恒温区长度(mm)

80

80

150

150

额定电压(V)

220

220

220

220

额定功率(KVA)

1.2

1.2

3

3

真空机组

HTF-101

HTF-103

HTF-101

HTF-103

供气系统

HTF-2F

HTF-4F

HTF-2M

HTF-4M