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PECVD系统

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产品详情PECVD工艺中由于等离子体中高速运行的电子撞击到中性的反应气体分子,就会使中性反应气体分子变成碎片或处于激活的状态容易发生反应;借助射频等使含有薄膜组...

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PECVD工艺中由于等离子体中高速运行的电子撞击到中性的反应气体分子,就会使中性反应气体分子变成碎片或处于激活的状态容易发生反应;借助射频等使含有薄膜组成原子的气体,在局部形成离子体,而等离子体化学活性很强,很容易反应,在基片上沉积出所期望的薄膜;具有基本温度低、沉积速率快、成膜质量好、针孔较少、不易龟裂等优点;

1、整机采用SUS304不锈钢材质,流线型外观,真空吸附成型的优质高纯氧化铝多晶纤维固化炉膛,保温性能好。

2、炉子底部装有一对滑轨,移动平稳,可以手动从一端滑向另一端,实现快速的加热和冷却。炉盖可开启,可以实时观察加热的物料。

3、采用高纯石英管,高温下化学稳定性强,耐腐蚀,热膨胀系数极小。

4、采用SUS304不锈钢快速法兰,通过用高温“O”型圈紧密密封可获得高真空,一个卡箍就能完成法兰的连接,放、取物料方便快捷。

5、加热元件采用康奈尔发热丝,表面负荷高、经久耐用。最高温度1200℃,升温速率10℃/min。

6、可选配多路质量流量计,数字显示、气体流量自动控制;内置不锈钢混气箱,每路气体管路均配有逆止阀,可通过控制面板上的旋钮来调节气体流量。

等离子射频电源:最大射频功率达500W,输出频率13.56MHz±0.005%,输入电源 208-240VAC, 单相50/60Hz。

 技术参数

HTF1200-2.5/20-2M-LV-PE

HTF1200-5/20-4M-LV-PE

HTF1200-6/40-2M-HV-PE

HTF1200-8/40-4M-HV-PE

最高温度(℃)

1200

1200

1200

1200

控温精度(℃)

±1

±1

±1

±1

加热区直径(mm)

25

50

60

80

加热区长度(mm)

200

200

400

400

加热管长度(mm)

450

450

1000

1000

恒温区长度(mm)

80

80

150

150

额定电压(V)

220

220

220

220

额定功率(KVA)

1.2

1.2

3

3

射频电源功率(W)

5~300

5~300

5~500

5~500

真空机组

HTF-101

HTF-101

HTF-104

HTF-104

供气系统

HTF-2F

HTF-4F

HTF-2M

HTF-4M