针对h-BN特殊片层结构带来的难致密问题，通常需要添加烧结助剂促进其致密，但烧结助剂的存在会影响h-BN 陶瓷的介电与耐高温性能，限制其应用。皓越本研究以自身结构中含有B、N六元环的环硼氮烷为先驱体，将其固化产物作为原料，利用热压烧结制得h-BN陶瓷。环硼氨烷固化产物中残余的少量B-H和N-H，在高温烧结过程中会断键产生自由基，提高陶瓷的扩散系数，促进陶瓷的致密，制备了具有优异机械和介电性能的h-BN 陶瓷，在1500℃烧结温度下，h-BN 陶瓷抗弯强度高达136.620MPa，介电常数和介电损耗分别低至4.38和1.068。

        该方法克服了致密 h-BN陶瓷低介电与高力学强度无法兼得的挑战，为h-BN陶瓷在高温、高频等苛刻环境下的应用奠定了坚实的基础。此外，这种方法也为其他类似材料的制备提供了新的思路和方向。